由于將用上3nm技術(shù)、CPO(共同封裝光學(xué)元件)和HBM4(第六代高頻寬內(nèi)存),新一代GPU的芯片面積將是上一代Blackwell的兩倍,摩根士丹利表示臺(tái)積電、京元電子、日月光將收益。
報(bào)告中提到,Blackwell芯片產(chǎn)量仍在增加,但因其復(fù)雜性,臺(tái)積電和供應(yīng)鏈已開(kāi)始為下一代Rubin芯片做準(zhǔn)備。京元電子預(yù)計(jì)將承擔(dān)英偉達(dá)AI GPU的最終測(cè)試,占比達(dá)100%,營(yíng)收有望達(dá)到2025年總營(yíng)收的26%。
摩根士丹利預(yù)計(jì),由于Rubin芯片尺寸幾乎是Blackwell的兩倍,可能包含四個(gè)運(yùn)算芯片,因此預(yù)計(jì)臺(tái)積電將在2026年進(jìn)一步擴(kuò)大CoWoS產(chǎn)能。從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看,一些AI ASIC,如AWS的3奈米AI加速器,可能開(kāi)始老化測(cè)試,Blackwell的整個(gè)最終測(cè)試將在2025年在京元電子進(jìn)行。
而根據(jù)臺(tái)積電的CoWoS-L產(chǎn)能,B200/300(雙芯片版本)出貨量可能在2025年達(dá)到約500萬(wàn)顆。
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